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Silicon_Si

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Si.jpg


资料
化学成分Si
原子量28.0855
原子序数14
纯度3N5-5N
色彩/外观深灰蓝/半金属
导热性150 W/m.K
熔点 (°C)1,410
体电阻率>1 OHM-CM
热膨胀序数2.6 x 10-6/K
理论密度 (g/cc)2.32
搀和剂无掺杂
Z 比率0.712
溅射射频
最大功率密度*                                        (瓦/平方英寸 )80
背板衔接


溅射是薄膜沉积的制作过程,,是半导体,,磁盘驱动器,,光盘和光学器件行业的主题。

对于电子层面,, 溅射是指由高能粒子冲击靶材而将原子从靶材或源资料上喷射出来,,沉积在基板(如硅晶片、太阳能电池板或光学器件)的过程。溅射过程起头前,,将要镀膜的基板搁置在含有惰性气体(通常是氩气)的真空室中,,在靶源上施加负电荷,,而后靶源沉积到基板,,引起等离子体发光。

溅射率因冲击粒子的能量、入射角度、粒子和靶原子的相对证量、靶原子的理论结合能的分歧而变动。物理气体沉积的几种分歧步骤被宽泛的利用于溅射镀膜机,,蕴含离子束、离子辅助溅射、氧气环境下反映溅射、气流和磁电管溅射。

ok138太阳集团能够援手您确定您必要的沉积资料,,以切合您的物理沉积要求,,并能够援手您选择最好的合金和化合物,,以切合您的精确薄膜涂层规格。

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