碳化硅单晶资料是第三代宽带隙半导体资料的代表，，碳化硅（SiC）单晶资料拥有禁带宽度大、、、热导率高、、、电子饱和迁徙速度高和击穿电场高档性质。！iC器件在高温、、、高压、、、高频、、、大功率电子器件领域和航天、、、军工、、、核能等极端环境利用领域有着不成代替的优势，，添补了传统半导体资料器件在现实利用中的缺点，，正逐步成为功率半导体的主流。！

在宽禁带半导体资料领域就技术成熟度而言，，碳化硅是这族资猜中最高的，，是宽禁带半导体的主题。！iC资料是IV-IV族半导体化合物，，拥有宽禁带(Eg：3.2eV)、、、高击穿电场(4×106V/cm)、、、高热导率(4.9W/cm.k)等特点。！４咏峁股辖，，SiC资料属硅碳原子对密排结构，，既能够当作硅原子密排，，碳原子占其四面体空位；；；又可当作碳原子密排，，硅占碳的四面体空位。！６杂谔蓟杳芘沤峁，，由单向密排方式的分歧产生各类分歧的晶型,业已发现约200种。！Ｄ壳白畛＜米羁矸旱氖4H和6H晶型。！4H-SiC出格合用于微电子领域，，用于制备高频、、、高温、、、大功率器件；；；6H-SiC出格合用于光电子领域，，实现全彩显示。！

随着SiC技术的发展，，其电子器件和电路将为系统解决上述挑战奠定坚实基础。！Ｒ蚨鳶iC资料的发展将直接影响宽禁带技术的发展。！iC器件和电路拥有超强的机能和辽阔的利用远景，，因而一向受业界高度器重，，根基形成了美国、、、欧洲、、、日本鼎足之势的局面。！Ｄ壳，，国际上实现碳化硅单晶抛光片商品化的公司重要有美国的Cree公司、、、Bandgap公司、、、DowDcorning公司、、、II-VI公司、、、Instrinsic公司；；；日本的Nippon公司、、、Sixon公司；；；芬兰的Okmetic公司；；；德国的SiCrystal公司，，等。！Ｆ渲蠧ree公司和SiCrystal公司的市场占有率超过85%。！Ｔ谒械奶蓟柚票赋讨幸悦拦鶦ree公司最强，，其碳化硅单晶资料的技术水平可代表了国际水平，，专家预测在将来的几年里Cree公司还将在碳化硅衬底市场上独占鳌头。！

碳化硅单晶资料的技术发展集中在蓬勃国度领域，，目前发展中国度在半导体资料，，精密合金，，溅射靶材，，金属合金资料等方面都落后于蓬勃国度，，发展中国度只能依附高价进口这些合金资料和半导体资料，，这对于一个国度工业安全有极度大的影响，，高科技企业的发展和基础幽微，，影响综合实力的发展；；；